激光清洗真空鍍膜

多晶硅表面吸附雜質(zhì)的主要原因是，多晶硅表面原子垂直向上的化學(xué)鍵被破壞成為懸空鍵，在多晶硅表面形成自由力場，極易吸附各種雜質(zhì)。這些雜質(zhì)和多晶硅之間迅速形成化學(xué)吸附，難以去除。多晶硅表面的污染物會嚴(yán)重影響器件的可靠性、性能、和成品率。隨著人們對原料要求的提高和微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，器件由于污染物導(dǎo)致的影響也愈加突出。多晶硅清洗技術(shù)毫無疑問成為半導(dǎo)體工藝以及硅材料加工的關(guān)鍵領(lǐng)域。

激光清洗作為新型的清洗技術(shù)，可以做到對基材無損傷，對環(huán)境無污染，效率高、效果好，對于多晶硅清洗也是可以做到保留晶格、去除污垢，可以作為生產(chǎn)企業(yè)必不可少的清洗工藝。